退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:使用8T SRAM单元方法设计和验证低功耗SRAM
Nahid Rahman; B. P. Singh;
机译:一种新颖的低功耗8T SRAM单元设计,采用上下自控电压电平技术(采用45 nm技术)
机译:基于差分TG的超强电源应用设计
机译:单端稳健低功耗8T SRAM单元的设计与分析
机译:优化的基于FinFET的8T SRAM单元设计的低功耗和高性能
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:用于超低功耗应用的低压高速8T SRAM单元
机译:两阶段8T SRAM单元设计
机译:用于提高SRAM单元,SRAM单元,SRAM阵列和写入电路性能的设计结构
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。